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11月24日 朱金龍教授學(xué)術(shù)報(bào)告(機(jī)電工程學(xué)院)

來源:機(jī)電學(xué)院作者:時(shí)間:2023-11-21瀏覽:405設(shè)置

報(bào) 告 人:朱金龍 研究員

報(bào)告題目:光學(xué)精密成像及其在集成電路量測中的應(yīng)用

報(bào)告時(shí)間:2023年11月24日(周五)下午2:30

報(bào)告地點(diǎn):教科院報(bào)告廳

主辦單位:機(jī)電工程學(xué)院、科學(xué)技術(shù)研究院

報(bào)告人簡介

朱金龍,華中科技大學(xué)機(jī)械學(xué)院教授/研究員,博士生導(dǎo)師。主要研究方向?yàn)榧呻娐芳{米尺度探測技術(shù)與裝備、光電集成器件的設(shè)計(jì)與制造技術(shù)、工業(yè)三維測量技術(shù)與裝備。以第一作者、通訊作者在包括Nature Communications、Advanced Science、ACS Nano、Nano Letters等期刊和國際頂會上發(fā)表論文 60 余篇。已獲美國、國內(nèi)授權(quán)專利 20 余項(xiàng)。

報(bào)告摘要

對電子設(shè)備、智能設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)的需求不斷增長,是集成電路關(guān)鍵尺寸減小、電路復(fù)雜性增加的主要驅(qū)動力。然而,隨著 10 納米以下的大批量制造成為主流,人們越來越意識到 OEM 組件引入的缺陷會影響良率和制造成本。這些缺陷(包括隨機(jī)顆粒和系統(tǒng)缺陷)的識別、定位和分類在 10 nm 及以上的節(jié)點(diǎn)上變得越來越具有挑戰(zhàn)性。最近,傳統(tǒng)光學(xué)缺陷檢測與納米光子學(xué)、光學(xué)渦旋、計(jì)算成像、定量相位成像和深度學(xué)習(xí)等新興技術(shù)的結(jié)合為該領(lǐng)域帶來了新的可能性。在本次匯報(bào)中,我們將全面回顧過去十年中新興的集成電路晶圓缺陷檢測技術(shù),并詳細(xì)介紹本課題組開發(fā)的用于半導(dǎo)體測量和檢測的新型相位成像技術(shù)。


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