報(bào) 告 人：郭建剛

報(bào)告題目：若干功能電子晶體的生長(zhǎng)和物性

報(bào)告時(shí)間：2024年9月23日（周一）上午9：30

報(bào)告地點(diǎn)：物理與電子工程學(xué)院428會(huì)議室

主辦單位：物理與電子工程學(xué)院、科學(xué)技術(shù)研究院

報(bào)告人簡(jiǎn)介：

郭建剛，中國(guó)科學(xué)院物理所先進(jìn)材料與結(jié)構(gòu)分析實(shí)驗(yàn)室副主任，研究員，博導(dǎo)。在Nature\Nature Chem\PRL\NC\JACS等期刊發(fā)表論文126篇，其中KxFe2Se2高溫超導(dǎo)體的發(fā)現(xiàn)入選Phys. Rev. B創(chuàng)刊50周年的里程碑論文之一（入選比0.03%）。獲中國(guó)百篇最具影響國(guó)際學(xué)術(shù)論文，中國(guó)科學(xué)院優(yōu)秀博士學(xué)位論文，ICAM Postdoctoral Fellowship，中科院“院級(jí)人才項(xiàng)目”，基金委“優(yōu)青”項(xiàng)目，2020年國(guó)家自然科學(xué)二等獎(jiǎng)（第2完成人），2020年中國(guó)科學(xué)院科技促進(jìn)發(fā)展獎(jiǎng)，2022年北京市自然科學(xué)二等獎(jiǎng)等。擔(dān)任iScience、Chinese Physics Letter、National Science Open等雜志編委或青年編委。

報(bào)告摘要：

以超導(dǎo)晶體和第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)為代表的功能電子晶體具有重要的基礎(chǔ)研究和應(yīng)用基礎(chǔ)研究?jī)r(jià)值。報(bào)告人對(duì)以上若干功能晶體開(kāi)展了晶體生長(zhǎng)、物性表征及高精度調(diào)控研究，取得了如下成果：在基礎(chǔ)前沿研究方面，生長(zhǎng)了20余種原創(chuàng)的超導(dǎo)單晶，利用原位高壓和原位電場(chǎng)柵壓等物性表征和調(diào)控方法，探究了晶體中“功能基元”與物性的精確對(duì)應(yīng)關(guān)系。在應(yīng)用基礎(chǔ)研究方面，主要利用高溫溶液法，通過(guò)設(shè)計(jì)助熔劑、生長(zhǎng)裝置和調(diào)控溫場(chǎng)等生長(zhǎng)了2-6英寸大尺寸SiC單晶，解決了固-液界面能調(diào)控、缺陷密度高和鐵磁SiC大尺寸單晶難以獲得等難題，受到國(guó)內(nèi)外同行的正面評(píng)價(jià)和廣泛認(rèn)可。

代表性論文：

[1]Q. S. Zeng*, J.-G. Guo*, J. Zhao* et al., Nature 631, 531 (2024)

[2]T. P. Ying*, J.-G. Guo*, X. L. Chen* et al. Nature Chem. Online (2024)

[3]T. P. Ying*, Y. P. Qi*, J. G. Guo* et al., Angew. Chem. Int. Ed. 62, e202216086 (2023)

[4]T. P. Ying*, J.-G. Guo*, X. L. Chen* et al. J. Am. Chem. Soc. 144, 20915 (2022)

[5]T. P. Ying*, J. G. Guo,* X. L. Chen* et al. Phys. Rev. Lett. 127, 237001 (2021)